Силовой модуль IGBT - новый перспективный элемент электроники. Он создан на основе комбинации биполярных транзисторов с полевыми. Статическая вольтамперная характеристика модуля может быть представлена в виде двух отрезков прямых (рисунок 4.38,а). горизонтальный участок - выключенное состояние модуля, наклонный - включенное. Наклон последнего задается сопротивлением устройства во включенном состоянии. Остаточное напряжение на малых токах учитывается параметром Vf (как у диода). Внутренняя структура модуля показана на рисунке 4.38,б.
Рисунок 4.38 - Вольтамперная характеристика и внутренняя структура модуля IBGT
Он представляет собой ключ, имеющий некоторое сопротивление и индуктивность (они вводятся в окне параметров блока) и управляющий элемент, который по сигналу пришедшему извне открывает или закрывает ключ. Результат моделирования приведен на рисунке 4.39.
Рисунок 4.39 - Ток нагрузки и широтно-модулированное напряжение на нагрузке
Второй закон Кирхгофа:
Алгебраическая сумма падений напряжений в любом замкнутом контуре равна алгебраической сумме ЭДС вдоль этого контура.
Операционная система Microsoft Windows 2003 Планирование
и установка системы Расчет
электрических цепей электротехника
| наборы для дизайна ногтей огромный выбор тут фирмы наборов для вышивания отзывы Свадебные платья 2012 года Низкие цены на лучшие модели! 380-76-70 |