Электротехнические материалы Лекции Теория конструктивных материалов Электрические цепи в постоянного и переменного токаПодвижность носителей заряда в полупроводниках зависит от температуры, так как тепловое хаотическое колебание частиц мешает упорядоченному движению.
Основные причины, влияющие на температурную зависимость подвижности это рассеяние на:
- тепловых колебаниях атомов или ионов кристаллической решетки;
- на атомах или ионах примесей;
- на дефектах решетки (пустых узлах, искажениях, связанных с внедрением иновалентных ионов, дислокациями, трещинами и т.д.).
При низких температурах преобладает рассеяние на примесях и подвижность
изменяется согласно выражению
=а . Т3/2,
где а - параметр полупроводника.
При высоких температурах преобладает рассеяние на тепловых колебаниях решетки
=в . Т3/2,
где в - параметр полупроводника. В примесном полупроводнике имеет место как одна , так и другая составляющая в зависимости (Т), определяемая выражением
Характер изменения от температуры для собственного и примесного полупроводников показан на рисунке.
| |