Определение и классификация

Полупроводники при комнатной температуре занимают по удельному сопротивлению , имеющему значения 10^-6 - 10⁹ Ом ^. м, промежуточное положение между металлами и диэлектриками. По ширине запрещенной зоны к полупроводникам относят вещества, ширина запрещенной зоны которых лежит в диапазоне 0.1 - 3.0 эВ.

Приведенные данные следует считать ориентировочными, так как они относятся к нормальным условиям, но могут сильно отличаться в зависимости от температуры.

Удельная проводимость полупроводников в сильной степени зависит от вида и количества содержащихся в них примесей и дефектов. Для них характерна чувствительность к свету, электрическому и магнитному полю, радиационному воздействию, давлению и др.

В полупроводниках часто наблюдается смешанный тип химических связей: ковалентно-металлический, ионно-металлический и др. К ним относятся многие химические элементы и химические соединения:

• - простые вещества: германий, кремний; селен, теллур, бор, углерод, фосфор, сера, сурьма, мышьяк и др.;
• - окислы и сульфиды многих металлов: NiO, Cu₂O, CuO, CdO, PbS и др.;
• - тройные соединения: CuSbSr, CuFeSe₂, PbBiSe₃ и др.;
• - твердые растворы GeSi, GaAs_1-x P_x и др.;
• - органические красители и другие материалы: анрацен, фталоцианин,нафталин и другие.

Полупроводники могут быть жидкими или твердыми, кристаллическими или аморфными.

Основные параметры

полупроводников.

Из электрофизических параметров важнейшими являются: удельная электрическая проводимость (или величина обратная ей - удельное электрическое сопротивление), концентрация электронов и дырок, температурные коэффициенты удельного сопротивления, ширина запрещенной зоны, энергия активации примесей, работы выхода, коэффициента диффузии носителей заряда и другие. Для некоторых применений важны коэффициент термо-ЭДС и коэффициент термоэлектрического эффекта, коэффициент Холла и т.п.

К фундаментальным параметрам относятся плотность, постоянная кристаллической решетки, коэффициент теплопроводности, температура плавления и др.