.
Импульсные и цифровые устройства. Логические элементы Дешифраторы и шифраторы Мультивибраторы Проектные параметры резисторов Элементы инжекционной логики Конструкции МДП-транзисторов Проектирование топологии ИС

Физика решение задач

Алгоритм проектирования конденсаторов БП ИМС

Формулировка исходных требований и ограничений является необходимым начальным этапом в проектировании конденсаторов. Исходные требования и ограничения для проектирования конденсаторов предпочтительно группировать в следующие разделы:

функциональные параметры конденсатора по назначению (параметры назначения);

параметры материалов обкладок и диэлектрических слоев;

технологические ограничения на размеры, допустимые отклонения размеров и удельных параметров материалов;

эксплуатационные ограничения по применению конденсатора;

расчетные соотношения и рекомендации для выбора материалов, форм и размеров конденсатора по заданным параметрами, технологическим и эксплуатационным ограничениям.

Последующие переходы в процессе проектирования образуют приводимую алгоритмическую последовательность, представленную на рисунке 2.68.

Полупроводниковые конденсаторы, как отмечалось ранее, имеют ограниченное применение в цифровых ИМС. Скорее они являются сопутствующими элементами, когда в них есть необходимость. Применительно к ИМС на биполярных транзисторах емкости в единицы пикофарад не могут рассматриваться как функциональные элементы, вследствие относительно невысоких входных и выходных сопротивлений. Кристаллы с полупроводниковыми конденсаторами находят применение в качестве емкостных датчиков и изменяемых напряжением емкостных элементов (варикапов). Емкостные элементы в качестве функцинальных при величине емкости доли и единицы пикофарад являются элементами ИМС на транзисторах со структурой «металл-диэ-лектрик-полупроводник» (МДП).



 

Соединения и контакты БПТ ИМС

 

Общие сведения

В конструкциях кристаллов микросхем предусматриваются топологические элементы функционально предназначенные:

для электрического соединения элементов, размещенных на кристалле;

для электромонтажного соединения кристалла с расположенными вне его конструктивными объектами (контакты внешних подключений кристалла);

для электрического соединения кристалла с расположенным вне его контрольно-измерительным оборудованием для тестового контроля функционального соответствия параметров отдельных элементов, групп элементов (контакты внутрисхемного электрического контроля).

Для кристаллов вследствие малости размеров элементов контакты третей группы обычно не предусматриваются. Тестируемые элементы выносятся на специальные тестовые кристаллы, где контакты для подключения измерительного оборудования к контролируемым объектам могут исполняться с увеличенными размерами.


На главную