Статическая электропроводность в полуклассической модели.
При H=0, E,N T=const, интегрирование (9.18) элементарно. При N T=0, приходим к
g(k) = g0(k) -
eEv(k) | (9.38) |
Число электронов в элементе в dk равно g(k)dk/4
3,
поэтому вклад одной зоны в плотность тока равен
| (9.39) |
Такой вклад
в плотность тока дает каждая частично заполненная зона и полная плотность тока
= сумме вкладов от всех зон. С учетом (9.38), (9.39) можно записать в виде j
=
E,
где тензор проводимости
представляет собой сумму выражений для отдельных зон
| (9.40а) | |
| (9.40б) |
Здесь мы воспользовались тем, что поскольку в равновесии ток отсутствует,
то основное слагаемое g0 в (9.38) не дает вклада в (9.39). Для тензора
мы используем стандартное обозначение, при котором
= bc означает aij = bicj.
В теории свободных электронов ток j || E, т.е.
тензор
диагонален:
.
Для произвольной кристаллической структуры ток j не обязательно параллелен
E и s -тензор не будет диагональным. В кристалле
с кубической симметрией, однако, ток j остается ||-ным Е, т.к.
если x,y,z направить по ребрам куба, то
хх
=
yy
=
zz. Кроме того, если бы поле в направлении
х вызвало бы ток в направлении y, то, воспользовавшись кубической симметрией,
можно было бы показать, что такой же ток должен возникнуть и в противоположном
направлении -
,
т.е. должно быть
xy
= 0 и в кристаллах с кубической симметрией
.
В металле при Т = 0 имеем (
f/
E)
=
(E-EF).
Время релаксации
n(En)
(EF)
= const и его можно вынести из-под интеграла в (9.30б). Кроме того,
v(k)(- | (9.41) |
Проделав интегрирование по частям в результате получаем:
| (9.42) |
где
[ | (9.43) |
-тензор обратной эффективной массы, введенный ранее (см. (4.26))
Для свободных электронов эффективная масса не зависит от k для всех занятых уровней
[ | (9.44) |
Тогда тензор проводимости
| (9.45) |
где m* - эффективная масса. При m* = m получаем формулу Друде (1.2).
| На главную сайта Dvoika.net |