Механизмы рассеяния электронов в металлах
Среди механизмов рассеяния наиболее важными являются электрон-фононное, электрон-электронное, примесное, изотопное, на торцах образцов и на дефектах.
Правило Матиссена (Matthiessen's rule).
Если имеется несколько механизмов рассеяния, каждый из которых не влияет на другие, то полная вероятность рассеяния
W = | (10.1) |
В приближении времени релаксации:
1/ | (10.2) |
Предположим, кроме того, что время релаксации для каждого механизма не зависит от k. Тогда
| (10.3) |
Это т.н. правило Матиссена:
удельное сопротивление = сумме парциальных удельных сопротивлений, обусловленных
каждым механизмом. Ограниченность этого правила связана с предположениями а) о
независимости механизмов, б)
(k)
= const. Можно показать, что правило Матиссена выполняется как неравенство:
| (10.4) |
Интеграл столкновений в изотропной среде. Рассеяние электронов на примеси.
Считаем, что рассеяние - упругое, концентрация примеси мала, взаимодействие U примесь-электрон достаточно слабо. Можно показать, что при этом вероятность рассеяния:
Wk,k' = 2 | (10.5) |
где ni - число примесей в единице объема,
<k|U|k> = | (10.6) |
а волновая фуекция нормирована на объем ячейки
Vcell: | (10.7) |
Как видно из (10.5), Wk,k' не зависит от электронной функции
g. Это - следствие приближения независимых электронов и это - главное упрощение.
Из свойств Wk,k' можно еще отметить свойство симметрии Wk,k' = Wk',k
- это т.н. принцип детального равновесия, который следует из условия эрмитовости
оператора U: (<k|U|k'> = <k'|U|k>).
Интеграл столкновений в
-приближении (см.Л9):
1/ | (10.8) |
В теории столкновений вероятность столкновений характеризуют
сечением рассеяния dQ = dWpp’ [обычно сечение рассеяния обозначают
греческой буквой
, но здесь мы будем обозначать Q, чтобы избежать
путаницы с проводимостью].
Для оценок сечения рассеяния
поступим проще. Поскольку сечение является упругим, то процесс можно представить
как рассеяние на упругих шариках с сечением ~ rD2,
где rD - радиус дебаевской экранировки, т.е. радиус экранирования э/статического
поля примесного атома. Можно показать, что rD ~10-8 см
(см. Д3). Тогда эффективное сечение будет равно Qeff ~ rD2
~ 10-16см2. Длина свободного пробега электрона проводимости
будет определяться из условия равенства единице вероятности рассеяния: niQeff
~ 1. Откуда
| (10.9) |
Для оценки проводимости воспользуемся соотношениями (1.2) и (1.4)
| (10.10) |
Учитывая, что ne/ni ~ 1/сi , где ci
- концентрация примесных атомов, и что e2/
vср
~ 1, то получаем:
| (10.11) |
откуда получаем оценку
= 1016/ci , ( в обратных секундах, 1/с) или
= 10-2/ci (мкОм см)-1. Соответственно для удельного
сопротивления получаем
ci 10-16, с или
100ci, мкОм см. Коэффициент перевода между двумя единицами измерений
определяется соотношением [
,
мкОмсм] = 1018[
,с]
Сопоставление с характерными величинами сопротивлений для металлов, приведенными
в табл. 1.1, показывает, что рассеяние на примесных атомах может давать значительный
вклад в полное сопротивление.
| На главную сайта Dvoika.net |