Рис.5.3. Дырочноподобные траектории электронов типа "собачьей кости" в благородных металлах
Аномальный скин-эффект.
Если металлический образец облучается микроволновым излучением с частотой
, не слишком высокой, то это излучение поглощается в слое толщиной
0, равной
0 = c/(2
),
(5.8)
где
- проводимость образца. Обычно
0 >> l - длины свободного пробега при достаточно малой частоте
. Это т.н. "классическая" глубина скин-слоя. В случае
0 ~ l требуется более сложная теория, а режим
0 << l называют предельно аномальным. В предельно аномальном режиме неприменимо представление об экспоненциальном затухании поля с глубиной. Глубина проникновения и коэффициент отражения в этом случае определяются некоторыми характеристиками поверхности Ферми, которые зависят от ориентации этой поверхности относительно реальной поверхности кристалла.
Рис.5.4. Пояснение к выводу соотношения (5.9)Метод циклотронного резонанса, так же как и метод аномального скин-эффекта, основан на исследовании затухания микроволнового поля при проникновении его в металл. Строго говоря, в эксперименте здесь определяется не геометрия поверхности Ферми, а "циклотронная масса", пропорциональная энергетическому градиенту площади поперечного сечения поверхности Ферми ∂S/
E.
Рассмотрим орбиту блоховского электрона с энергией Е в постоянном магнитном поле, лежащую в какой-либо плоскости, перпендикулярной магнитному полю, рис. 5.4. Для прохождения части орбиты в k-пространстве между значениями k1 и k2 требуется время
t = t2 - t1 =
=
=
2c/(eB)
Градиент dE/dk ~
E/
k, где
k направлено
-но траектории (градиент dE/dk перпендикулярен изоэнергетической поверхности!), в отличие от dk, которое направлено вдоль нее. Т.е.
t
2c/(eB
E)
kdk = (
2c/eB)(
S1,2/
E).
При
E
0 получаем для замкнутой траектории период движения:
T = (
2c/eB)[∂S(E,kz)/∂E]
(5.9)
Для свободных электронов:
T = 2
/
c = (2
mc/ eB)
(5.10а)
Это же выражение может быть использовано для блоховских электронов:
T = (2
m*c/ eB),
(5.10б)
где
m* = (
2/2
)[
S(E,kz)/
E]
(5.11)
- эффективная циклотронная масса электрона.
В описанном методе условие резонанса достигается в микроволновом диапазоне. При этих частотах имеет место аномальный режим поглощения, когда толщина скин-слоя становится часто меньше длины свободного пробега электронов и меньше размеров орбиты (в r-пространстве).
| На главную сайта Dvoika.net |