Полевые транзисторы с изолированным затвором в последнее время стали основным типом переключающих транзисторов малой и средней (а иногда и большой) мощности. В пакете SimPowerSystems предусмотрена простая модель полевого транзистора Mosfet. Фактически он рассматривается как силовой ключ с сопротивлением Ron и индуктивностью Lon во включенном состоянии и бесконечно большим сопротивлением в выключенном состоянии. Можно также задать включение параллельно транзистору диода, открытого при закрытом транзисторе и характеризующегося сопротивлением Rd.
Наконец, можно добавить подключенную к выводам сток-исток последовательную RsCs-цепь.
Модель тиристора Thyristor также построена на основе идеального ключа с элементами, имитирующими остаточные параметры включенного тиристора. Это сопротивление во включенном состоянии Ron, индуктивность Lon и падение напряжения в прямом направлении Vf. В выключенном состоянии (обратное направление) сопротивление устройства считается равным бесконечности. Тиристор выключается, если управляющий сигнал равен нулю, а также в тех случаях, когда прямой ток тиристора падает до нуля или напряжение на тиристоре достигает значения обратного напряжения. Предусмотрено также параллельное включение (между анодом и катодом) последовательной RsCs-цепи.
Имеется более детальная модель тиристора - Detail Thyristor. Окно параметров этой модели имеет два дополнительных параметра: ток Il при котором тиристор выключается, и время выключения Tq (в секундах), которое характеризует задержку выключения. Эта модель позволяет более точно моделировать переходные процессы в схеме.
Запираемые тиристоры Gto - сравнительно новый и перспективный тип мощных силовых коммутирующих элементов. Они имеют управляющие сигналы малой мощности и способны переключать большие напряжения и токи, чем полевые транзисторы с изолированным затвором. Однако для этих устройств характерно значительное время выключения. В последнее время они вытесняются модулями типа IGBT, описанными ниже.
