Атомная энергетика. Ядерные реакторы АЭС. Атомный флот. Ядерное оружие |
|||
| РБМК-1000 | |||
| Гражданский суда | |||
| Авиация | |||
Высшая математика |
|||
| Задачи | |||
| Практикум | |||
| Карта сайта | |||
Лекции
по курсу Электротехнические материалы |
Если образец был размагничен, то зависимость индукции от напряженности внешнего магнитного поля называется кривой намагничивания. В процессе намагничивания образца основную роль играют два процесса - смещение доменных границ и вращение векторов намагниченности доменов. Посмотрите, как происходит процесс намагничивания и изменения доменной структуры.
|
Энергию естественной кристаллографической магнитной анизотропии - Ек характеризуют константами кристаллографической магнитной анизотропии. Для кубического кристалла
EK= Ko + K1 . (
12 .
22 +
22 .
32 +
32 .
12) + K2.
12 .
22 .
32
где Ko, K1,K2 - константы кристаллографической магнитной анизотропии;
a
1 ,
2 ,
3 - направляющие косинусы вектора намагниченности по отношению к осям x,y,z ребер куба.
Магнитный гистерезис вызывается необратимыми процессами намагничивания. Ход кривой намагничивания на рисунке показан стрелкой. К основным параметрам петли гистерезиса относятся:
|
Это обратимое изменение формы и размеров образца при переходе ферромагнетика через точку Кюри при отсутствии внешнего поля (самопроизвольная магнитострикция) и при воздействии внешнего поля на ферромагнетик при Т<Тк.
Сумму энергий кристаллографической магнитной анизотропии и магнитоупругой в результате магнитострикции называют энергией магнитной анизотропии.
Лекции
по курсу Электротехнические материалы |