Обратные связи в усилителях
Обратные связи в усилителяхэто подача части выходного сигнала на вход усилителя; напряжение обратной связи может зависеть или от выходного напряжения , или от тока в нагрузке или от выходного напряжения и тока в нагрузке вместе. В cooтветствии с этим принято различать:
1) обратную связь по напряжению (рис. 15.39);
2) обратную связь по току (рис. 15.40);
3) смешанную обратную связь (рис. 15.41).
На рис. 15.39 напряжение обратной связи иос пропорционально напряжению на выходе усилителя:
Величина 
называется, коэффициентом передачи цепи обратной связи,
в общем случае величина комплексная.
Рис. 15.39
На рис.
15.40 напряжение обратной связи Uос пропорционально
току нагрузки
где Zсв сопротивление связи.
Рис. 15.40
На рис. 15.41 напряжение обратной связи пропорционально и току в нагрузке, и выходному напряжению:
.
Рис. 15.41
На рис. 15.39, 15.40, 15.41 напряжение обратной связи вводится во входную цепь последовательно с входным напряжением, и потому такие усилители называют усилителями с последовательной обратной связью.
Рис. 15.42
Если же напряжение обратной связи
подается на входные зажимы непосредственно, такие устройства
называются усилителями с параллельной обратной связью (рис. 15.42).
Если
, то обратная связь называется положительной, если 
,
то отрицательной.
При положительной обратной связи 
находится в фазе с управляющим напряжением 
. Увеличение напряжения приводит к росту нелинейных искажений,
поэтому положительная обратная связь в усилителях, как правило, не используется.
Эта связь используется при создании автогенераторов.
Широко используется в усилителях отрицательная обратная связь. Коэффициент усиления усилителя с отрицательной обратной связью становится меньше, однако, неравномерность АЧХ уменьшается, а полоса пропускания увеличивается.
Контрольные вопросы
Укажите назначение и типы усилителей, их основные характеристики.
Что такое усилители напряжения?
Нарисуйте
схему и укажите назначение элементов резисторного усилителя
звуковой частоты
на биполярном транзисторе. Нарисуйте АЧХ этого усилителя.
Нарисуйте схему и объясните назначение элементов резисторного усилителя звуковой частоты на полевом транзисторе. Нарисуйте АЧХ этого усилителя.
Что такое полосовые усилители?
Что такое согласование генератора с нагрузкой?
Что такое однотактные, двухтактные
и бестрансформаторные усилители
мощности?
Что такое усилители постоянного тока? Каковы их достоинства и недостатки?
Что такое дифференциальные и
операционные усилители? Опишите их
применение в современной микроэлектронике.
10. Что такое отрицательная обратная связь в усилителе?
11. Опишите положительную обратную связь в усилителях.
12. Какие режимы работы транзисторных усилителей вы знаете?
13. Что такое амплитудная характеристика транзисторного усилителя?
14.
Рассчитайте коэффициент усиления резисторного усилителя на средних
и высоких
частотах. Объясните уменьшение коэффициента усиления на низких частотах.
15. Как выбрать сопротивление нагрузки в резисторном усилителе?
Кремниевые пластины с ЭПС
Эпитаксиальные кремниевые структуры выпускаются в виде круглых пластин диаметром 60, 80, 100 и 125 мм, толщиной 200…400 мкм. Принято обозначать марку эпитаксиальной структуры в виде дроби, в числителе которой дается характеристика эпитаксиального слоя, а в знаменателе — характеристика кремниевой подложки. Перед дробью ставится цифра, указывающая диаметр эпитаксиальной структуры.
7 КЭФ 0,3
Пример:
Обозначение расшифровывается следующим образом: пластина Æ100 мм с эпитаксиальной пленкой кремния электронной проводимости, легированной фосфором, с удельным объемным сопротивлением 0,3 Ом×см, толщиной 7 мкм, выращенной на кремниевой ориентированной по плоскости (111) подложке с дырочной проводимостью, легированной бором, с удельным сопротивлением 10 Ом×см, толщиной 200 мкм.
Дополнительные параметры структуры, например диффузионная длина или время жизни носителей заряда, плотность дислокаций и другие, указываются в паспорте на структуру.
2.7 Кремниевые пластины с ЭПС и скрытыми слоями
Такие структуры изготавливаются по специальным заказам под конкретную полупроводниковую микросхему, так как положение скрытого слоя строго определено размещением элементов (топологией) в микросхеме.
В обозначении указываются [2]:
диаметр пластины (60, 80, 100 и 125) мм;
толщина пластины (300…400) мкм;
толщина эпитаксиального слоя (6,0…15) мкм с допуском ±10 %;
удельное сопротивление эпитаксиального слоя (0,15…5,0) Ом×см;
толщина скрытого слоя (2,5…10) мкм;
поверхностное сопротивление скрытого слоя (5…50) Ом.
Структура со скрытым слоем обозначается и расшифровывается согласно приводимому [1, 2] далее примеру:
 |
— кремниевая эпитаксиальная структура диаметром 100 мм, полученная на кремниевой подложке толщиной 300 мкм с дырочной проводимостью, легированная бором, с удельным объемным сопротивлением 10 Ом·см, ориентированная по кристаллографической плоскости (111); эпитаксиальный слой толщиной 7 мкм имеет электронную проводимость, легирован фосфором, с объемным удельным сопротивлением 0,3 Ом×см; скрытый слой толщиной 2,5 мкм имеет электронную проводимость, легирован сурьмой, поверхностное удельное сопротивление скрытого слоя 30 Ом. Сведения о скрытом слое указываются в числителе после знака косой черты с той особенностью, что число после буквенного обозначения типа проводимости и вида легирующего скрытый слой элемента (в данном случае после букв КЭС) показывает не объемное, а поверхностное сопротивление скрытого слоя.
